Analysis of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers by nearfield optical microscopy

Elmentve itt :
Bibliográfiai részletek
Szerzők: Friede Sebastian
Tomm Jens W.
Kühn Sergei
Hoffmann Veit
Wenzel Hans
Dokumentumtípus: Könyv része
Megjelent: International Society for Optics and Photonics Bellingham (WA) 2017
Sorozat:Proceedings of SPIE
Novel In-Plane Semiconductor Lasers XVI
Tárgyszavak:
doi:10.1117/12.2249563

mtmt:33298452
Online Access:http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/33981
LEADER 00970naa a2200265 i 4500
001 publ33981
005 20240704083555.0
008 240704s2017 hu o 000 eng d
020 |a 9781510606876; 9781510606883 
024 7 |a 10.1117/12.2249563  |2 doi 
024 7 |a 33298452  |2 mtmt 
040 |a SZTE Publicatio Repozitórium  |b hun 
041 |a eng 
100 1 |a Friede Sebastian 
245 1 0 |a Analysis of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers by nearfield optical microscopy  |h [elektronikus dokumentum] /  |c  Friede Sebastian 
260 |a International Society for Optics and Photonics  |b Bellingham (WA)  |c 2017 
300 |a 7 
490 0 |a Proceedings of SPIE 
490 0 |a Novel In-Plane Semiconductor Lasers XVI 
650 4 |a Fizikai tudományok 
700 0 1 |a Tomm Jens W.  |e aut 
700 0 1 |a Kühn Sergei  |e aut 
700 0 1 |a Hoffmann Veit  |e aut 
700 0 1 |a Wenzel Hans  |e aut 
856 4 0 |u http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/33981/1/33298452.pdf  |z Dokumentum-elérés